Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7702PBF
Изображение служит лишь для справки






IRF7702PBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, LEAD FREE, TSSOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:LEAD FREE, TSSOP-8
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:2
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:30
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IRF7702PBF
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:International Rectifier
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска:8.51
- Код упаковки компонента:TSSOP
- Максимальный ток утечки (ID):8 A
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:MO-153AA
- Максимальный сливовой ток (ID):8 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.014 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:70 A
- Минимальная напряжённость разрушения:12 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000