(0)
Изображение служит лишь для справки
BDP950E6327
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Date Sheet
Lagernummer 659
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Артикул Производителя：BDP950-E6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.02
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：PNP
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：85
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Со склада 659
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
