(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE2114
-
NTE Electronics, Inc.
-
Память
- -
- Standard SRAM, 1KX4, 300ns, NMOS, PDIP18, DIP-18
Date Sheet
Lagernummer 406
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：18
- Артикул Производителя：NTE2114
- Производитель：NTE Electronics
- Частота часов：Not Required(MHz)
- Классификация Температурной Выносливости：Commercial
- Формат упаковки：PDIP
- Диапазон рабочей температуры：0C to 70C
- Количество слов：1K
- Адресный шина：10(b)
- Количество линий ввода/вывода：4
- Максимальная напряжение питания：5.5(V)
- Номинальное напряжение питания (Тип)：5(V)
- Квантовозащитный：No
- Минимальное напряжение питания：4.5(V)
- Монтаж：Through Hole
- Описание пакета：DIP, DIP18,.3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Количество кодовых слов：1000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：DIP18,.3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：300 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：Yes
- Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
- Код пакета：DIP
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.34
- Код упаковки компонента：DIP
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：NMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：2.54 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：18
- Код JESD-30：R-PDIP-T18
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.25 V
- Блоки питания：5 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.75 V
- Количество портов：1
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.1 mA
- Время доступа：300
- Архитектура：Not Required
- Организация：1KX4
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：4
- Плотность：4096(Bit)
- Ток ожидания-макс：0.1 A
- Плотность памяти：4096 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Синхрон/Асинхрон：Asynchronous
- Размер слова：4(b)
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：5 V
- Питательный ток：100
Со склада 406
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
