(0)
Изображение служит лишь для справки
RN1305(TE85L,F)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- USM-3
- PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-70
Date Sheet
Lagernummer 43
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：USM-3
- Характеристика Коэффициент резистора：1
- Распад мощности：100 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：80
- Типовой входной резистор：2.2 kOhms
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора：100 mA
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：80
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Серия：RN1305
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：Transistors
- Конфигурация：Single
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Ширина：1.25 mm
- Высота：0.9 mm
- Длина：2 mm
Со склада 43
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
