(0)
Изображение служит лишь для справки
NESG250134-AZ
-
Renesas Electronics America
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- NESG250134-AZ
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：10000 MHz
- Артикул Производителя：NESG250134-AZ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.11
- Код JESD-609：e6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Подкатегория：BIP RF Small Signal
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：EMITTER
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.9 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：80
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：9.2 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
