(0)
Изображение служит лишь для справки
GS842Z18CB-100I
-
GSI Technology
-
Память
- BGA-119
- ZBT SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119
Date Sheet
Lagernummer 40
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Корпус / Кейс：BGA-119
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：119
- Чувствительный к влажности：Yes
- Максимальная частота такта：100 MHz
- Максимальная рабочая температура：+ 85 C
- Максимальная напряжение питания：3.6 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：84
- Минимальная напряжение питания：2.3 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Интерфейс тип：Parallel
- Производитель：GSI Technology
- Бренд：GSI Technology
- Торговое наименование：NBT SRAM
- Типы памяти：SDR
- Описание пакета：BGA, BGA119,7X17,50
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Количество кодовых слов：256000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA119,7X17,50
- Время доступа-максимум：12 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：GS842Z18CB-100I
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：100 MHz
- Количество слов：262144 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：2.5 V
- Код пакета：BGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GSI TECHNOLOGY
- Ранг риска：5.36
- Код упаковки компонента：BGA
- Серия：GS842Z18CB
- Пакетирование：Tray
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Тип：NBT Pipeline/Flow Through
- Дополнительная Характеристика：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：119
- Код JESD-30：R-PBGA-B119
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：2.7 V
- Блоки питания：2.5/3.3 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.3 V
- Размер памяти：4 Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：130 mA
- Время доступа：12 ns
- Организация：256 k x 18
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1.99 mm
- Ширина памяти：18
- Тип продукта：SRAM
- Ток ожидания-макс：0.045 A
- Плотность памяти：4718592 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：ZBT SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：2.3 V
- Категория продукта：SRAM
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 40
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
