(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSO083N03MSG
Изображение служит лишь для справки
BSO083N03MSG
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-8
Date Sheet
Lagernummer 1690
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：PG-DSO-8
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id：11
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：1.56W (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSO083N03MSG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.81
- Максимальный ток утечки (ID)：9.8 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™ 3
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1.56
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.3mOhm @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2100 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：11 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0083 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Канальный тип：N
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1690
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
