Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

BAP64-03TR

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Описание пакета:R-PDSO-G2
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Максимальная температура рефлоу:40
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:BAP64-03T/R
  • Максимальная мощность рассеяния:0.5 W
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:NXP Semiconductors
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
  • Ранг риска:5.03
  • Код упаковки компонента:SC-76
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN
  • Применение:ATTENUATOR; SWITCHING
  • Дополнительная Характеристика:HIGH VOLTAGE
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Технология:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:2
  • Код JESD-30:R-PDSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:PIN DIODE
  • Диапазон частот:S BAND
  • Максимальная емкость диода:0.35 pF
  • Миноритарный носитель жизни-ном:1.55 µs
  • Диодная прямая сопротивление-Макс:1.35 Ω

Со склада 0

Итого $0.00000