(0)
Изображение служит лишь для справки
HN4B102J(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SC-74A, SOT-753
- PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Date Sheet
Lagernummer 1514
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-74A, SOT-753
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SMV
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1.8A, 2A
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
- Распад мощности：1.1 W
- Полярность транзистора：NPN, PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：200
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора：8 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：500
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：30 V
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：HN4B102J(TE85L,F)
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Описание Samacsys：Silicon PNP / NPN Epitaxial Type Transistor
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.76
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G5
- Конфигурация：Dual
- Мощность - Макс：750mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 200mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：140mV @ 20mA, 600mA, 200mV @ 20mA, 600mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：30V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V, 30 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Прямоходящий ток коллектора：- 1.8 A, 2 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：30 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.14 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 1514
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
