(0)
Изображение служит лишь для справки
HN1B04FE-Y,LXHF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Date Sheet
Lagernummer 9624
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поставщик упаковки устройства：ES6
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：150mA
- Квалификация：AEC-Q200
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：100 mW
- Полярность транзистора：NPN, PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120 at 2 mA, 6 V
- Пакетная партия производителя：4000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：80 MHz
- Партийные обозначения：HN1B04FE-Y,LXHF(B
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：400 at 2 mA, 6 V
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Dual
- Мощность - Макс：100mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 2mA, 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：80MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Прямоходящий ток коллектора：150 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 9624
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
