(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD079N06L3GATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPD079N06L3GATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Date Sheet
Lagernummer 20000
- 1+： $1.23471
- 10+： $1.16482
- 100+： $1.09889
- 500+： $1.03669
- 1000+： $0.97801
Zwischensummenbetrag $1.23471
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO252-3-311
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：79W (Tc)
- Основной номер продукта：IPD079N
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.2 V
- Распад мощности：79 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：22 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.9 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：50 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.9mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 34μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4900 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 20000
- 1+： $1.23471
- 10+： $1.16482
- 100+： $1.09889
- 500+： $1.03669
- 1000+： $0.97801
Итого $1.23471
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
