(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MTB6N60ET4
Изображение служит лишь для справки
MTB6N60ET4
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL
Date Sheet
Lagernummer 830
- 1+： $0.73810
- 10+： $0.69632
- 100+： $0.65691
- 500+： $0.61972
- 1000+： $0.58464
Zwischensummenbetrag $0.73810
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Bulk
- Максимальный ток утечки (ID)：6 A
- Ранг риска：5.75
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Количество элементов：1
- Производитель：Motorola Mobility LLC
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：MTB6N60ET4
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Серия：*
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：1.2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 830
- 1+： $0.73810
- 10+： $0.69632
- 100+： $0.65691
- 500+： $0.61972
- 1000+： $0.58464
Итого $0.73810
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
