RM6N800T2

Name: Rectron USA RM6N800T2
Brand: Rectron USA
Rating: 5 (12 reviews)

Rectron USA
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
Mfr：Rectron USA
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：98W (Tc)
Производитель：RECTRON
РХОС：Y
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
Время типичного задержки включения：10 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Распад мощности：98 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.068784 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：Through Hole
Минимальная прямая транконductанс：6 S
Режим канала：Enhancement
Бренд：Rectron
Зарядная характеристика ворот：22.8 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：900 mOhms
Время задержки отключения типичного：53 ns
Id - Непрерывный ток разряда：6 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Case - TO-220
Капацитивность：Input Capacitance (Ciss) - 1320pF
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Напряжение：Vdss - 800V
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：900mOhm @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1320 pF @ 50 V
Время подъема：5 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000