(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IST006N04NM6AUMA1
Изображение служит лишь для справки
IST006N04NM6AUMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 5-PowerSFN
- MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
Date Sheet
Lagernummer 1298
- 1+： $3.19900
- 10+： $3.01792
- 100+： $2.84710
- 500+： $2.68594
- 1000+： $2.53391
Zwischensummenbetrag $3.19900
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：5-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSOF-5-1
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：58A (Ta), 475A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Основной номер продукта：IST006
- Прямоходящий ток вывода Id：475
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：HSOF-5
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：-
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Чувствительный к влажности：Yes
- Время типичного задержки включения：25 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.1 V
- Распад мощности：250 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 10 V, + 10 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：330 S
- Партийные обозначения：IST006N04NM6 SP005405153
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：127 nC
- Торговое наименование：OptiMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：600 uOhms
- РХОС：In Transition
- Время задержки отключения типичного：53 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：475 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：5
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：250
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：600mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8800 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：178 nC @ 10 V
- Время подъема：22 ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel Power MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1298
- 1+： $3.19900
- 10+： $3.01792
- 100+： $2.84710
- 500+： $2.68594
- 1000+： $2.53391
Итого $3.19900
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
