(0)
Изображение служит лишь для справки
JANTX2N3637L
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- TRANS PNP 175V 1A TO5
Date Sheet
Lagernummer 131
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Вид крепления：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-5
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Microchip Technology
- Основной номер продукта：2N3637
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Bulk
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip / Microsemi
- РХОС：N
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：JANTX2N3637L
- Время включения макс. (ton)：200 ns
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Время отключения макс. (toff)：650 ns
- Ранг риска：5.17
- Код упаковки компонента：TO-5
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/357
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Пакетирование：Tray
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Нормативная Марка：MIL-19500/357H
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Мощность - Макс：1 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 50mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
- Код JEDEC-95：TO-5
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：175 V
- Частота - Переход：-
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：175 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 131
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
