(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MTP9N25E
Изображение служит лишь для справки
MTP9N25E
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 50000
- 1+： $0.84029
- 10+： $0.79272
- 100+： $0.74785
- 500+： $0.70552
- 1000+： $0.66559
Zwischensummenbetrag $0.84029
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：onsemi
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MTP9N25E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：8.15
- Максимальный ток утечки (ID)：9 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：9 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.45 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：32 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：122 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：80 W
Со склада 50000
- 1+： $0.84029
- 10+： $0.79272
- 100+： $0.74785
- 500+： $0.70552
- 1000+： $0.66559
Итого $0.84029
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
