(0)
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N6987
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
Date Sheet
Lagernummer 45
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 1 month ago)
- Корпус / Кейс：14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Вид крепления：Through Hole
- Покрытие контактов：Lead, Tin
- Монтаж：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：-
- Количество терминалов：14
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Bulk
- Mfr：Microchip Technology
- Основной номер продукта：2N6987
- Диэлектрический пробой напряжение：60 V
- РХОС：Non-Compliant
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：JANTXV2N6987
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：4
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.2
- Код упаковки компонента：DIP
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/558
- Пакетирование：Bulk
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：MOSFETs
- Максимальная потеря мощности：1.5 W
- Технология：Si
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：14
- Нормативная Марка：MIL-19500/558D
- Код JESD-30：R-XDIP-T14
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 4 ELEMENTS
- Мощность - Макс：1.5W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：4 PNP (Quad)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.6 V
- Максимальный ток сбора：600 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA (ICBO)
- Код JEDEC-95：TO-116
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 45
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
