R6020ENZ4C13

Name: Rohm Semiconductor R6020ENZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 4.6 (8 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Date Sheet

Lagernummer 68

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Поставщик упаковки устройства：TO-247
Mfr：Rohm Semiconductor
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：231W (Tc)
Основной номер продукта：R6020
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：20A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Время типичного задержки включения：35 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：231 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：30
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：60 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：196 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：150 ns
Id - Непрерывный ток разряда：20 A
Серия：-
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：231W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：196mOhm @ 9.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1400 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：60 nC @ 10 V
Время подъема：53 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 68

Итого $0.00000