(0)
Изображение служит лишь для справки
G60N10T
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-220-3
- 100V 60A 160W 13mΩ@10V,20A 1.5V@250uA 160pF@50V N Channel 3970pF@50V 146nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 52
- 1+： $0.46011
- 10+： $0.43407
- 100+： $0.40950
- 500+： $0.38632
- 1000+： $0.36445
Zwischensummenbetrag $0.46011
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：160W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3970 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：146 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 52
- 1+： $0.46011
- 10+： $0.43407
- 100+： $0.40950
- 500+： $0.38632
- 1000+： $0.36445
Итого $0.46011
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
