(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSC110N15NS5
Изображение служит лишь для справки
BSC110N15NS5
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- PowerTDFN-8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 30063
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SOP-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSC110N15NS5
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.65
- Максимальный ток утечки (ID)：76 A
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.011 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：304 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 30063
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
