(0)
Изображение служит лишь для справки
GS8256418GD-250I
Lagernummer 2619
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：BGA-165
- Вид крепления：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：165-FPBGA (15x13)
- Количество терминалов：165
- Максимальная частота такта：250 MHz
- Поставщикская упаковка：FPBGA
- Архитектура Скорости Данных：SDR
- Типовая рабочая напряжение питания：2.5, 3.3 V
- Минимальное напряжение питания в работе：2.3, 3 V
- Тип таймера：Synchronous
- Количество слов：16
- Количество линий ввода/вывода：18 Bit
- Максимальное напряжение питания：2.7, 3.6 V
- Монтаж：Surface Mount
- Чувствительный к влажности：Yes
- Максимальная частота такта：250 MHz
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальная напряжение питания：3.6 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：10
- Минимальная напряжение питания：2.3 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Интерфейс тип：Parallel
- Производитель：GSI Technology
- Бренд：GSI Technology
- Торговое наименование：SyncBurst
- РХОС：Details
- Типы памяти：SDR
- Пакет：Tray
- Основной номер продукта：GS8256418
- Mfr：GSI Technology Inc.
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：LBGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE
- Количество кодовых слов：16000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：GS8256418GD-250I
- Номинальное напряжение питания (Вн)：2.5 V
- Код пакета：LBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GSI TECHNOLOGY
- Ранг риска：5.21
- Уровень применения：Industrial grade
- Рабочая температура：-40 to 100 °C
- Серия：GS8256418GD
- Пакетирование：Tray
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Тип：Pipeline/Flow Through
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Технология：SRAM - Synchronous, Standard
- Напряжение - Питание：2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：165
- Код JESD-30：R-PBGA-B165
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：2.7 V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.3 V
- Размер памяти：288 Mbit
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：250 MHz
- Максимальный ток подачи：460 mA, 560 mA
- Время доступа：5.5 ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Архитектура：Flow-Through/Pipelined
- Организация：16 M x 18
- Максимальная высота посадки：1.5 mm
- Ширина памяти：18
- Время цикла записи - слово, страница：-
- Ширина адресной шины：24 Bit
- Тип продукта：SRAM
- Плотность：288 Mbit
- Плотность памяти：301989888 bit
- Уровень фильтрации：Industrial
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：CACHE SRAM
- Категория продукта：SRAM
- Организация памяти：16M x 18
- Ширина：13 mm
- Длина：15 mm
Со склада 2619
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
