Изображение служит лишь для справки






IS43TR16512B-107MBLI
-
ISSI
-
Неклассифицированные
- 96-TFBGA
Date Sheet
Lagernummer 409
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:96-TFBGA
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:96-TWBGA (10x14)
- Количество терминалов:96
- Пакет:Bulk
- Mfr:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Состояние продукта:Active
- Типы памяти:Volatile
- Чувствительный к влажности:Yes
- Максимальная частота такта:933 MHz
- Максимальная рабочая температура:+ 95 C
- Максимальная напряжение питания:1.575 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Пакетная партия производителя:136
- Минимальная напряжение питания:1.425 V
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:ISSI
- Бренд:ISSI
- РХОС:Details
- Описание пакета:TFBGA,
- Форма упаковки:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Уровни чувствительности к влажности:3
- Количество кодовых слов:512000000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Максимальная температура рефлоу:10
- Температура работы-Макс:95 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IS43TR16512B-107MBLI
- Количество слов:536870912 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):1.5 V
- Код пакета:TFBGA
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Ранг риска:2.14
- Рабочая температура:-40°C ~ 95°C (TC)
- Серия:-
- Пакетирование:Tray
- Код JESD-609:e1
- Код ECCN:EAR99
- Тип:SDRAM - DDR3
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH
- Подкатегория:Memory & Data Storage
- Технология:SDRAM - DDR3
- Напряжение - Питание:1.425V ~ 1.575V
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PBGA-B96
- Напряжение питания максимальное (Vпит):1.575 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):1.425 V
- Размер памяти:8Gbit
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:933 MHz
- Максимальный ток подачи:160 mA
- Время доступа:20 ns
- Формат памяти:DRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Ширина данных в сети:16 bit
- Организация:512 M x 16
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:16
- Время цикла записи - слово, страница:15ns
- Тип продукта:DRAM
- Плотность памяти:8589934592 bit
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Режим доступа:MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
- Категория продукта:DRAM
- Организация памяти:512M x 16
- Ширина:10 mm
- Длина:14 mm
Со склада 409
Итого $0.00000