(0)
Изображение служит лишь для справки
GS81314LD19GK-933I
Lagernummer 2384
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：BGA-260
- Вид крепления：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：260-BGA (22x14)
- Количество терминалов：260
- Чувствительный к влажности：Yes
- Максимальная частота такта：933 MHz
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальная напряжение питания：1.35 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：10
- Минимальная напряжение питания：1.25 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Интерфейс тип：Parallel
- Производитель：GSI Technology
- Бренд：GSI Technology
- Торговое наименование：SigmaQuad-IVe
- РХОС：Details
- Типы памяти：QDR-IVe
- Пакет：Tray
- Основной номер продукта：GS81314LD19
- Mfr：GSI Technology Inc.
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：HBGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
- Количество кодовых слов：8000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：GS81314LD19GK-933I
- Количество слов：8388608 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.3 V
- Код пакета：HBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GSI TECHNOLOGY
- Ранг риска：2.35
- Серия：GS81314LD19GK
- Пакетирование：Tray
- Рабочая температура：-40°C ~ 100°C (TJ)
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Тип：SigmaQuad-IVe B4
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Технология：SRAM - Quad Port, Synchronous, QDR IVe
- Напряжение - Питание：1.25V ~ 1.35V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PBGA-B260
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.35 V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.25 V
- Размер памяти：144 Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：933 MHz
- Максимальный ток подачи：2.25 A
- Время доступа：-
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：8 M x 18
- Максимальная высота посадки：2.3 mm
- Ширина памяти：18
- Время цикла записи - слово, страница：-
- Тип продукта：SRAM
- Плотность памяти：150994944 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：DDR SRAM
- Категория продукта：SRAM
- Организация памяти：8M x 18
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 2384
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
