Изображение служит лишь для справки






HAT2025R-EL-E
Lagernummer 33288
- 1+: $1.10142
- 10+: $1.03907
- 100+: $0.98026
- 500+: $0.92477
- 1000+: $0.87243
Zwischensummenbetrag $1.10142
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:1 Week
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:PRSP0008DD-D8
- Максимальная температура рефлоу:20
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:HAT2025R-EL-E
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:RENESAS TECHNOLOGY CORP
- Ранг риска:5.81
- Код упаковки компонента:SOP
- Максимальный ток утечки (ID):8 A
- Серия:*
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):8 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.05 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:64 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2.5 W
Со склада 33288
- 1+: $1.10142
- 10+: $1.03907
- 100+: $0.98026
- 500+: $0.92477
- 1000+: $0.87243
Итого $1.10142