(0)
Изображение служит лишь для справки
IPB80P03P4L07ATMA2
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- TO-263-3-2
Date Sheet
Lagernummer 280
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-3-2
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- Квантовозащитный：No
- Квалификация：AEC-Q101
- Прямоходящий ток вывода Id：80A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：8 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
- Распад мощности：88 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 16 V, + 5 V
- Вес единицы：0.011425 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IPB80P03P4L-07 SP002325734
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：63 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：8.3 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：15 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：80 A
- Основной номер продукта：IPB80P
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：88W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tape and Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：88W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.9mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 130µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5700 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80 nC @ 10 V
- Время подъема：4 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：+5V, -16V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：P Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 280
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
