(0)
Изображение служит лишь для справки
MT8VDDT6464HY-335F3
-
Micron Technology Inc.
-
Память - Модули
- 200-SODIMM
- DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Socket
- Корпус / Кейс：200-SODIMM
- Количество контактов：200
- Типы памяти：DDR SDRAM
- Количество элементов：8
- Опубликовано：2003
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：200
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：GOLD
- Максимальная рабочая температура：70°C
- Минимальная температура работы：0°C
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
- Положение терминала：DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Напряжение питания：2.5V
- Шаг выводов：0.6mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：200
- Входной напряжение питания：2.5V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Максимальная напряжённость питания：2.7V
- Минимальная подача напряжения：2.3V
- Размер памяти：512MB
- Количество портов：1
- Скорость：333MT/s
- Частота часов：167MHz
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：8
- Ток ожидания-макс：0.04A
- Максимальная частота：333MHz
- Время доступа (макс.)：0.7 ns
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Режим доступа：SINGLE BANK PAGE BURST
- Длина：67.6mm
- Высота сидения (макс.)：31.9mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
