Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP82N055NUG-S18-AY
Изображение служит лишь для справки






NP82N055NUG-S18-AY
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- NP82N055NUG-S18-AY
Date Sheet
Lagernummer 467
- 1+: $1.85101
- 10+: $1.74623
- 100+: $1.64739
- 500+: $1.55414
- 1000+: $1.46617
Zwischensummenbetrag $1.85101
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства:TO-262
- Пакет:Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:82A (Tc)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния:1.8W (Ta), 143W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:175°C
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6mOhm @ 41A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9600 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:160 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):55 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 467
- 1+: $1.85101
- 10+: $1.74623
- 100+: $1.64739
- 500+: $1.55414
- 1000+: $1.46617
Итого $1.85101