(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE271
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-3P-3, SC-65-3
- Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-3PN
- Артикул Производителя：NTE271
- Производитель：NTE Electronics
- Эмиттер-основное напряжение：5(V)
- Насыщенное напряжение база-эмиттер (макс.)：3.5(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-218
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：100(V)
- Диапазон рабочей температуры：-65C to 150C
- Коллекторный ток (постоянный)：10(A)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Максимальный ток отсечки коллектора：1000
- Уголок постоянного тока：1000
- Монтаж：Through Hole
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Число контактов：3 +Tab
- Направленность：PNP
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：125(W)
- Мощность - Макс：125 W
- Тип транзистора：PNP - Darlington
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 5A, 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 40mA, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100 V
- Частота - Переход：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
