(0)
Изображение служит лишь для справки
2SA1586-Y(TE85L,F)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R
Date Sheet
Lagernummer 2798
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- РХОС：Details
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：125 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：80 MHz
- Артикул Производителя：2SA1586-Y(TE85L,F)
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：1.65
- Серия：2SA1586
- Пакетирование：Reel
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.15 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：120
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：7 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.1 W
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 2798
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
