Изображение служит лишь для справки






BC857BSQ-7-F
-
Diodes Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
Date Sheet
Lagernummer 1466
- 1+: $0.20256
- 10+: $0.19110
- 100+: $0.18028
- 500+: $0.17007
- 1000+: $0.16045
Zwischensummenbetrag $0.20256
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:19 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:SOT-363
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Полярность транзистора:Dual PNP
- Пакетная партия производителя:3000
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- РХОС:Details
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Mfr:Diodes Incorporated
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:40
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
- Артикул Производителя:BC857BSQ-7-F
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:DIODES INC
- Ранг риска:5.54
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Подкатегория:Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Мощность - Макс:200mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:2 PNP (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 5mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):45V
- Частота - Переход:100MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.2 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):220
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:45 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 1466
- 1+: $0.20256
- 10+: $0.19110
- 100+: $0.18028
- 500+: $0.17007
- 1000+: $0.16045
Итого $0.20256