Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

BC857BSQ-7-F

Lagernummer 1466

  • 1+: $0.20256
  • 10+: $0.19110
  • 100+: $0.18028
  • 500+: $0.17007
  • 1000+: $0.16045

Zwischensummenbetrag $0.20256

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:19 Weeks
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:SOT-363
  • Количество терминалов:6
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Полярность транзистора:Dual PNP
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Производитель:Diodes Incorporated
  • Бренд:Diodes Incorporated
  • РХОС:Details
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
  • Mfr:Diodes Incorporated
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:40
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
  • Артикул Производителя:BC857BSQ-7-F
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:2
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:DIODES INC
  • Ранг риска:5.54
  • Пакетирование:MouseReel
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:Automotive, AEC-Q101
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Подкатегория:Transistors
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PDSO-G6
  • Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
  • Мощность - Макс:200mW
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:2 PNP (Dual)
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):15nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 5mA, 100mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):45V
  • Частота - Переход:100MHz
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.2 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):220
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:45 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 1466

  • 1+: $0.20256
  • 10+: $0.19110
  • 100+: $0.18028
  • 500+: $0.17007
  • 1000+: $0.16045

Итого $0.20256