(0)
Изображение служит лишь для справки
MG150Q2YS51
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：MG150Q2YS51
- Производитель：Toshiba
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：50 ns
- Время отключения (toff)：500 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.85
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1300 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：200 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.6 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：1250 W
- Время падения максимальное (tf)：300 ns
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
