BC857SE6327

Name: Infineon BC857SE6327
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (10 reviews)

Infineon
Дискретные полупроводниковые
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：SOT-363
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：40
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
Артикул Производителя：BC857SE6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.34
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS
Мощность - Макс：250mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45V
Частота - Переход：250MHz
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：125
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V

Со склада 3000

Итого $0.00000