(0)
Изображение служит лишь для справки
CZT2222ATR
-
Central Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-261-4, TO-261AA
- Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
Date Sheet
Lagernummer 700
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SOT-223
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
- Другие Названия：CZT2222A TR PBFREE CZT2222A TR-ND CZT2222ATR
- Диэлектрический пробой напряжение：40 V
- РХОС：Compliant
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：300 MHz
- Артикул Производителя：CZT2222ATR
- Время включения макс. (ton)：35 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Central Semiconductor Corp
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Время отключения макс. (toff)：285 ns
- Ранг риска：5.12
- Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：No
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：2 W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：2W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：300 MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1 V
- Максимальный ток сбора：600 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
- Частота перехода：300 MHz
- Максимальное напряжение разрушения：40 V
- Частота - Переход：300MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
- Максимальное напряжение на выходе：1 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：8 pF
- Без свинца：Lead Free
Со склада 700
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
