(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM200GB120DN2
-
Eupec
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
Date Sheet
Lagernummer 668
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2 kV
- Распад мощности：1.4 kW
Со склада 668
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
