(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE165
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-204AA, TO-3
- Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-3
- Вес：72.574779 g
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE165
- Производитель：NTE Electronics
- Диэлектрический пробой напряжение：700 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：700 V
- РХОС：Non-Compliant
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：7 MHz
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：5.45
- Рабочая температура：115°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：115 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：8 A
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：12.5 W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：12.5 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：700 V
- Максимальный ток сбора：5 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：2.25 @ 4.5A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Код JEDEC-95：TO-3
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：5V @ 2A, 4.5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：700 V
- Частота - Переход：7MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：8
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：700 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：50 W
- Ширина：76.2 mm
- Высота：8.89 mm
- Длина：152.4 mm
- Диаметр：22.2 mm
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
