Изображение служит лишь для справки






2SA1069K
-
Renesas
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Non-Compliant
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:150 °C
- Артикул Производителя:2SA1069K
- Время включения макс. (ton):500 ns
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Inchange Semiconductor Company Ltd
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
- Время отключения макс. (toff):3000 ns
- Ранг риска:5.77
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60 V
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная потеря мощности (абс.):30 W
- Максимальный ток коллектора (IC):5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
- Максимальное напряжение на выходе:0.6 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:1.5 W
- Время падения максимальное (tf):500 ns
Со склада 0
Итого $0.00000