(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE218
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-204AA, TO-3
- Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：2
- Поставщик упаковки устройства：TO-3
- Вес：7.257478 g
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Эмиттер-основное напряжение：7(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-66
- Полярность транзистора：PNP
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：80(V)
- Категория：Bipolar Power
- Диапазон рабочей температуры：-65C to 200C
- Коллекторный ток (постоянный)：4(A)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Through Hole
- Артикул Производителя：NTE218
- Производитель：NTE Electronics
- Диэлектрический пробой напряжение：80 V
- РХОС：Compliant
- Номинальное напряжение (постоянное)：80 V
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：4 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：3 MHz
- Форма упаковки：ROUND
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：1.75
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：25 W
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：4 A
- Частота：3(MHz)
- Число контактов：2 +Tab
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：PNP
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：25(W)
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Выводная мощность：Not Required(W)
- Мощность - Макс：25 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
- Максимальный ток сбора：4 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 100mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Код JEDEC-95：TO-66
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 125mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота перехода：3 MHz
- Частота - Переход：3MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：25 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：4 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：10
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：25 W
- Ширина：76.2 mm
- Высота：7.493 mm
- Длина：152.4 mm
- Диаметр：12.3 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
