(0)
Изображение служит лишь для справки
SGW20N60HS
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-247-3
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 120
- 1+： $1.67059
- 10+： $1.57603
- 100+： $1.48682
- 500+： $1.40266
- 1000+： $1.32326
Zwischensummenbetrag $1.67059
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO247-3-1
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：179 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Вес единицы：1.340411 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：240
- Монтажные варианты：Through Hole
- Партийные обозначения：SP000013771 SGW20N60HSFKSA1
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：36 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Диэлектрический пробой напряжение：600 V
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：36 A
- Основной номер продукта：SGW20N
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 20A, 16Ohm, 15V
- Серия：SGW20N60
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Подкатегория：IGBTs
- Максимальная потеря мощности：178 W
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：178 W
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальный ток сбора：36 A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.15V @ 15V, 20A
- Прямоходящий ток коллектора：36
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：100 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：80 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：18ns/207ns
- Переключаемый энергопотребление：690µJ
- Категория продукта：IGBT Transistors
- Ширина：5.3 mm
- Высота：20.95 mm
- Длина：15.9 mm
Со склада 120
- 1+： $1.67059
- 10+： $1.57603
- 100+： $1.48682
- 500+： $1.40266
- 1000+： $1.32326
Итого $1.67059
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
