BF1005E6327

Name: Infineon BF1005E6327
Brand: Infineon
Rating: 4.9 (17 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet

Lagernummer 12500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение, классификация：8 V
Номинальное напряжение (постоянное)：8 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Артикул Производителя：BF1005E6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Siemens
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：SIEMENS A G
Ранг риска：5.23
Максимальный ток утечки (ID)：0.025 A
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Максимальная потеря мощности：200 mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：unknown
Моментальный ток：25 mA
Частота：800 MHz
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：200 mW
Сокетная связка：SOURCE
Напряжение стока-исток (Vdss)：8 V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：25 mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：13 V
Увеличение：19 dB
Напряжение пробоя стока к истоку：8 V
Входной ёмкости：2.5 pF
Минимальная напряжённость разрушения：12 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Фактор шума：1.6 dB
Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Испытательное напряжение：5 V
Ширина：1.3 mm
Высота：1 mm
Длина：2.9 mm
Без свинца：Lead Free

Со склада 12500

Итого $0.00000