(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTE2396
Изображение служит лишь для справки
NTE2396
-
NTE Electronics, Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 5
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Вес：72.574779 g
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE2396
- Производитель：NTE Electronics
- Номинальное напряжение (постоянное)：100 V
- РХОС：Compliant
- Время отключения：40 ns
- Пакет：Bag
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Максимальная мощность рассеяния：150W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.07
- Максимальный ток утечки (ID)：28 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности：150 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150 W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：13 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：77mOhm @ 17A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：69 nC @ 10 V
- Время подъема：77 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：28 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.077 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку：100 V
- Максимальный импульсный ток вывода：110 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
- Сопротивление стока к истоку：77 mΩ
- Номинальное Vgs：2 V
- Ширина：76.2 mm
- Высота：15.494 mm
- Длина：10.668 mm
- REACH SVHC：Unknown
Со склада 5
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
