BSC440N10NS3GXT

Name: Infineon BSC440N10NS3GXT
Brand: Infineon
Rating: 4.6 (10 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：8
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Поставщикская упаковка：TDSON EP
Монтаж：Surface Mount
РХОС：Compliant
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Температура работы-Макс：150 °C
Артикул Производителя：BSC440N10NS3GXT
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：4.73
Максимальный ток утечки (ID)：5.3 A
Рабочая температура：-55 to 150 °C
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Время подъема：3 ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：5.3 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Сопротивление открытого канала-макс：0.044 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：72 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：18 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000