(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFNG50SCV
Изображение служит лишь для справки
IRFNG50SCV
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Артикул Производителя：IRFNG50SCV
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.67
- Максимальный ток утечки (ID)：5.5 A
- Пакетирование：Bulk
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-CDSO-N3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150 W
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：3.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：2.25 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку：1 kV
- Максимальный импульсный ток вывода：22 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：860 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
