Изображение служит лишь для справки






FZ2400R12KF4
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Screw
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:190
- Количество терминалов:9
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:FZ2400R12KF4
- Производитель:Infineon
- РХОС:Compliant
- Диэлектрический пробой напряжение:1.2 kV
- Производитель IHS:EUPEC GMBH & CO KG
- Ранг риска:5.55
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Количество элементов:3
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Время отключения (toff):1050 ns
- Время включения (тон):700 ns
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Тип:Single
- Максимальная рабочая температура:125 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-XUFM-X9
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:COMPLEX
- Распад мощности:10 kW
- Сокетная связка:ISOLATED
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.2 kV
- Максимальный ток сбора:2.4 kA
- Максимальный ток коллектора (IC):2400 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1200 V
- Высота (мм):38 mm
Со склада 5000
Итого $0.00000