(0)
Изображение служит лишь для справки
K6T1008V2E-GB70
Lagernummer 4225
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：32
- Описание пакета：SOP, SOP32,.56
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Количество кодовых слов：128000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：SOP32,.56
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：70 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K6T1008V2E-GB70
- Количество слов：131072 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：SOP
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.58
- Код упаковки компонента：SOIC
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：32
- Код JESD-30：R-PDSO-G32
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Блоки питания：3.3 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3 V
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.03 mA
- Организация：128KX8
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：3 mm
- Ширина памяти：8
- Плотность памяти：1048576 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：2 V
- Ширина：11.43 mm
- Длина：20.47 mm
Со склада 4225
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
