(0)
Изображение служит лишь для справки
CY7C1381C-100BZI
-
Cypress Semiconductor
-
Память
- 165-LBGA
- Standard SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
Date Sheet
Lagernummer 58
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：165-LBGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：165-FBGA (13x15)
- Количество терминалов：165
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：CY7C1381
- Mfr：Cypress Semiconductor Corp
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：512000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：8.5 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CY7C1381C-100BZI
- Количество слов：524288 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：TBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.81
- Код упаковки компонента：BGA
- Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
- Серия：-
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Технология：SRAM - Synchronous, SDR
- Напряжение - Питание：3.135V ~ 3.6V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：220
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：165
- Код JESD-30：R-PBGA-B165
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.63 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
- Размер памяти：18Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：100 MHz
- Время доступа：8.5 ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：512KX36
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：36
- Время цикла записи - слово, страница：-
- Плотность памяти：18874368 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Организация памяти：512K x 36
- Ширина：13 mm
- Длина：15 mm
Со склада 58
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
