HN58V256AT12E

Name: Renesas HN58V256AT12E
Brand: Renesas
Rating: 4.9 (6 reviews)

Renesas
Память
-
32KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-28
Date Sheet

Lagernummer 8019

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：28
Пакет：Bulk
Mfr：Renesas Electronics America Inc
Состояние продукта：Active
Описание пакета：TSOP1, TSSOP28,.53,22
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Количество кодовых слов：32000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：TSSOP28,.53,22
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：120 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：HN58V256AT-12E
Количество слов：32768 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
Код пакета：TSOP1
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS TECHNOLOGY CORP
Ранг риска：5.77
Код упаковки компонента：TSOP
Серия：*
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8542.32.00.51
Подкатегория：EEPROMs
Технология：CMOS
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：0.55 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：28
Код JESD-30：R-PDSO-G28
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Блоки питания：3/5 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.7 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.03 mA
Организация：32KX8
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：8
Ток ожидания-макс：0.00002 A
Плотность памяти：262144 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：EEPROM
Программирование напряжения：3 V
Продолжительность：100000 Write/Erase Cycles
Время цикла записи максимальное (tWC)：10 ms
Опрос данных：YES
Бит переключения：YES
Пользовательский интерфейс команд：NO
Размер страницы：64 words
Ширина：8 mm
Длина：11.8 mm

Со склада 8019

Итого $0.00000