(0)
Изображение служит лишь для справки
CY7C1362A-225BGC
-
Cypress Semiconductor
-
Неклассифицированные
- 119-BGA
- Cache SRAM, 512KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
Date Sheet
Lagernummer 329
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：119-BGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：119-PBGA (14x22)
- Количество терминалов：119
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：CY7C1362
- Mfr：Cypress Semiconductor Corp
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Количество кодовых слов：512000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：2.5 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CY7C1362A-225BGC
- Количество слов：524288 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：BGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.8
- Код упаковки компонента：BGA
- Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
- Серия：-
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
- Технология：SRAM - Synchronous, SDR
- Напряжение - Питание：3.135V ~ 3.6V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：119
- Код JESD-30：R-PBGA-B119
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.63 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
- Размер памяти：9Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：225 MHz
- Время доступа：2.8 ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：512KX18
- Максимальная высота посадки：2.4 mm
- Ширина памяти：18
- Время цикла записи - слово, страница：-
- Плотность памяти：9437184 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：CACHE SRAM
- Организация памяти：512K x 18
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 329
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
