(0)
Изображение служит лишь для справки
IS61NLF51218A-7.5B3I
-
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
-
Память
- 165-TFBGA
- IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：165-TFBGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：165
- Типы памяти：Volatile
- Рабочая температура：-40°C~85°C TA
- Пакетирование：Tray
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：2 (1 Year)
- Количество выводов：165
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Напряжение - Питание：3.135V~3.465V
- Положение терминала：BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Напряжение питания：3.3V
- Шаг выводов：1mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：165
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Входной напряжение питания：3.3V
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.465V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135V
- Размер памяти：9Mb 512K x 18
- Количество портов：2
- Номинальный ток питания：280mA
- Частота часов：117MHz
- Время доступа：7.5ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：18
- Ширина адресной шины：19b
- Плотность：9 Mb
- Ток ожидания-макс：0.05A
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Синхрон/Асинхрон：Synchronous
- Размер слова：18b
- Минимальная напряжение спящего режима：3.14V
- Длина：15mm
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
