(0)
Изображение служит лишь для справки
DS1230AB-200IND
-
Maxim Integrated
-
Память
- 28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：28
- Типы памяти：Non-Volatile
- Рабочая температура：-40°C~85°C TA
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2002
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：28
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Напряжение - Питание：4.75V~5.25V
- Положение терминала：DUAL
- Количество функций：1
- Напряжение питания：5V
- Шаг выводов：2.54mm
- Частота：200GHz
- Основной номер части：DS1230AB
- Число контактов：28
- Входной напряжение питания：5V
- Блоки питания：5V
- Размер памяти：256Kb 32K x 8
- Формат памяти：NVSRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Ширина данных в сети：8b
- Организация：32KX8
- Ширина памяти：8
- Время цикла записи - слово, страница：200ns
- Плотность：256 kb
- Ток ожидания-макс：0.005A
- Время доступа (макс.)：200 ns
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
