SMBJ3V3-E3/52

Name: Vishay Semiconductor Diodes Division SMBJ3V3-E3/52
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
Rating: 4.6 (15 reviews)

Vishay Semiconductor Diodes Division
Диоды TVS
DO-214AA, SMB
VISHAY - SMBJ3V3-E3/52. - TVS Diode, Transil SMBJ Series, Unidirectional, 3.3 V, 7.3 V, DO-214AA, 2 Pins
Date Sheet

Lagernummer 305

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：33 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DO-214AA, SMB
Количество контактов：2
Вес：96mg
Материал диодного элемента：SILICON
Пороговая напряжённость / В：4.1V
Количество элементов：1
Обратная напряженность отстоя：3.3V
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TransZorb®
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Завершение：SMD/SMT, Solder
Код ECCN：EAR99
Тип：Zener
Применение：General Purpose
Дополнительная Характеристика：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
Капацитивность：5.2nF
Мощность рейтинга：600W
Ток постоянного напряжения - номинальный：3.3V
Максимальная потеря мощности：600W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：SMBJ
Число контактов：2
Направленность：Unidirectional
Ток утечки：200μA
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：600W
Защита линии питания：No
Максимальный импульсный ток (10/1000 мкс)：200A 8/20μs
Максимальный обратный ток утечки：200μA
Уровень задержки：10.3V
Пиковый импульсный ток：200A
Максимальный импульсный ток：3.3A
Максимальная импульсная мощность：600W
Ток испытания：1mA
Капацитиность @ Фrekвенция：5200pF @ 1MHz
Обратное пробивное напряжение：4.1V
Максимальное напряжение разрушения：4.1V
Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
Высота：2.44mm
Длина：4.5466mm
Ширина：3.937mm
REACH SVHC：Unknown
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 305

Итого $0.00000